基础概念 相关提炼内容见 memory。 SRAM：触发器存储，非破坏性读出，不需刷新，速度快，集成度低，用于 Cache DRAM：电容存储，破坏性读出，需刷新（2ms），速度慢，集成度高，用于主存 刷新方式：集中刷新（有死时间）、分散刷新（无死区但降速）、异步刷新（折中） 存储器芯片内部结构：存储体、地址译码器、I/O 控制电路、片选/读写控制 译码驱动方式：线选法（小容量）、重合法（大容量）